|
Дислокация (кристаллогр.)
[dislocation] – линейный дефект к-ла, нарушающий регулярность атомной структуры на величину вектора Бюргерса. Краевая дислокация образована торцом оборванного слоя или пачки слоев между протяженными слоями; вектор Бюргерса перпендикулярен к Д. и кратен высоте слоя. Винтовая дислокация сформирована за счет скольжения кристалла с одной стороны от ее оси; вектор Бюргерса параллелен оси Д. и кратен высоте слоя. Смешанная дислокация имеет винтовую и краевую составляющие; вектор Бюргерса расположен под углом к ней. Д. возникают при пластических деформациях к-ла или автодеформациях, а также при перекрытии слоев роста, не завершенных или имеющих несовершенства упаковки, др. слоями. Блоки мозаичного кристалла разделяются сетками Д. (дислокационными границами). Д. в к-лах выявляются методами травления к-ла, декорирования Д., электронной микроскопии, рентгеновской топографии и др. Д. – один из важнейших факторов, определяющих механизм и кинетику роста и растворения к-лов (краевые и смешанные Д.), распределение примесей в к-лах, механич., электрич., магнитные, тепловые, оптич. и др. свойства к-лов.
|
